onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 195-2461P
- 制造商零件编号:
- NCV8406BDTRKG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 650 - 1200 | RMB9.123 |
| 1250 + | RMB8.849 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 195-2461P
- 制造商零件编号:
- NCV8406BDTRKG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 210 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 1.81 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±14 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 高度 | 2.25mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 210 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 1.81 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±14 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
高度 2.25mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
NCV8406 是三 Terminal 低侧智能离散设备。保护功能包括过电流、过温、 esd 和集成漏 - 栅极夹紧、用于过电压保护。此设备提供保护、适用于恶劣的汽车环境。
短路保护
通过自动重启进行热关闭
过电压保护
集成钳、用于电感切换
ESD 保护
dv/dt 稳定
模拟驱动器功能(逻辑电平输入)
这些设备 Faster 设备的其他
需要的汽车和其他应用的 nnv 前缀
独特的站点和控制更改要求
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
切换各种电阻性、电感性和电容性负载
可更换机电继电器和分离式电路
汽车,工业
通过自动重启进行热关闭
过电压保护
集成钳、用于电感切换
ESD 保护
dv/dt 稳定
模拟驱动器功能(逻辑电平输入)
这些设备 Faster 设备的其他
需要的汽车和其他应用的 nnv 前缀
独特的站点和控制更改要求
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
切换各种电阻性、电感性和电容性负载
可更换机电继电器和分离式电路
汽车,工业
