onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
195-2461P
制造商零件编号:
NCV8406BDTRKG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

7 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

210 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

1.81 W

晶体管配置

最大栅源电压

±14 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

每片芯片元件数目

1

正向二极管电压

1.1V

高度

2.25mm

汽车标准

AEC-Q101

最低工作温度

-40°C

NCV8406 是三 Terminal 低侧智能离散设备。保护功能包括过电流、过温、 esd 和集成漏 - 栅极夹紧、用于过电压保护。此设备提供保护、适用于恶劣的汽车环境。

短路保护
通过自动重启进行热关闭
过电压保护
集成钳、用于电感切换
ESD 保护
dv/dt 稳定
模拟驱动器功能(逻辑电平输入)
这些设备 Faster 设备的其他
需要的汽车和其他应用的 nnv 前缀
独特的站点和控制更改要求
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
切换各种电阻性、电感性和电容性负载
可更换机电继电器和分离式电路
汽车,工业

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。