onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 116 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, FDMS系列
- RS 库存编号:
- 195-2498
- 制造商零件编号:
- FDMS4D5N08LC
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 195-2498
- 制造商零件编号:
- FDMS4D5N08LC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 116A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | FDMS | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 113.6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.85mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 116A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 FDMS | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 113.6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.85mm | ||
高度 1.05mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先进 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
屏蔽栅极 MOSFET 技术
VGS = 10 V、ID = 37 A 时，最大 rDS（接通）= 4.2 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 29 A 时，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
降低切换噪声/EMI
逻辑电平驱动功能
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。