onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10 A, PQFN, 表面安装, 4引脚, FCMT系列
- RS 库存编号:
- 195-2502
- 制造商零件编号:
- FCMT360N65S3
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- FCMT360N65S3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | FCMT | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 FCMT | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 8 mm | ||
长度 8mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.05mm | ||
汽车标准 否 | ||
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此技术专门用于最大程度减少传导损耗、提供卓越的切换性能、 dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此、 superet iii mosfet 非常适用于开关电源应用、如服务器 / 电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是超薄表面安装封装（ 1mm 高）、薄型、体积小（ 8 * 8 mm2 ）。由于寄生源电感和分离电源和驱动源较低、因此具有 Power88 封装的 super场 iii mosfet 可提供极佳的切换性能。