onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 27 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 195-2534
- 制造商零件编号:
- NTMYS021N06CLTWG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB4.185 | RMB12,555.00 |
| 6000 - 9000 | RMB4.059 | RMB12,177.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 195-2534
- 制造商零件编号:
- NTMYS021N06CLTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 27 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | LFPAK,SOT-669 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 31.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 28 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.15mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 27 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 LFPAK,SOT-669 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 31.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 28 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.15mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK4 封装、工业标准
这些设备无铅
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