onsemi , 2 N型沟道 双 增强型 功率 MOSFET, Vds=80 V, 25 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NVMFD6H852NLT1G
- RS 库存编号:
- 195-2561P
- 制造商零件编号:
- NVMFD6H852NLT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
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- 195-2561P
- 制造商零件编号:
- NVMFD6H852NLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 31.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最低工作温度 | 175°C | |
| 最大功耗 Pd | 3.2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 31.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最低工作温度 175°C | ||
最大功耗 Pd 3.2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
长度 6.1mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.05mm | ||
宽度 5.1 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
NVMFD6H852NLWF − 可润侧翼选件，用于增强型光学检验
支持 PPAP
这些设备无铅