onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 20 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, NVB190N65S3F
- RS 库存编号:
- 195-2667
- 制造商零件编号:
- NVB190N65S3F
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 195-2667
- 制造商零件编号:
- NVB190N65S3F
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 162W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 高度 | 4.58mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 162W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
高度 4.58mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET® MOSFET 中主体二极管的反向恢复性能经过优化设计，无需额外器件，并能提高系统可靠性。
TJ = 150°C 时为 701 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 33 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 1154 pF）
低切换损耗
支持 PPAP
典型值 rds （接通） = mΩ m ²
应用
hv 直流 / 直流转换器