STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 72 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 195-2681P
- 制造商零件编号:
- STWA75N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 195-2681P
- 制造商零件编号:
- STWA75N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 72A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 36mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 446W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 72A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 36mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 446W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.9mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 21.1mm | ||
宽度 5.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
新型 mdmesh ™ M6 技术结合了最新的技术，使 sj 系列中著名的、整合的 mdmesh 得以实现。STMicroelectronics 的新 M6 技术构建于上一代 mdmesh 设备之上、该技术将每个区域的出色 rds （接通）改进与现有最有效的切换行为之一相结合、并提供用户友好的体验、以实现最大的最终应用效率。
减少切换损耗
与上一代相比、每区域的 rds （接通）更低
低栅极输入电阻
提供齐纳保护