onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 98 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NVBG020N120SC1
- RS 库存编号:
- 195-8970
- 制造商零件编号:
- NVBG020N120SC1
- 制造商:
- onsemi
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- NVBG020N120SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 98A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.028Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 98A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.028Ω | ||
通道模式 增强 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET，N 沟道 - EliteSiC，20mΩ，1200V，M1，D2PAK−7L
On Semiconductor 单 N 沟道碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅基器件相比，具备卓越的开关性能与更高的可靠性。此外，其低导通电阻与紧凑的芯片尺寸确保了低电容与低栅极电荷。它具备最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰以及更小的系统尺寸。
超低栅极电荷（典型值QG(tot) = 220nC）
低有效输出电容
100% 雪崩测试
符合 AEC−Q101 标准