Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 11.5 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD10950E_GE3, SQD10950E系列
- RS 库存编号:
- 200-6792
- 制造商零件编号:
- SQD10950E_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 200-6792
- 制造商零件编号:
- SQD10950E_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SQD10950E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 62W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.38 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 10.41mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11.5A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SQD10950E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 62W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.38 mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 10.41mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay SQD10950E GE3 是一款汽车用 n 沟道 250V （ d-s ） 175°c mosfet 。
TrenchFET® 功率 MOSFET
具有低热阻的封装
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
符合 AEC-Q101