Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 29 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP105N60EF-GE3, EF系列

RS 库存编号:: 200-6794
制造商零件编号:: SiHP105N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 29 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP105N60EF-GE3, EF系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	29A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	EF
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	88mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	53nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	208W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.65mm
	标准/认证	RoHS
	高度	14.4mm
	长度	10.52mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 29A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 EF
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 88mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 208W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.65mm
	标准/认证 RoHS
	高度 14.4mm
	长度 10.52mm
	汽车标准否

Document- SiHP105N60EF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,29 A 连续漏电流 - SiHP105N60EF-GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业和电子系统中的电源开关功能而设计。它专为在需要大阻断电压、稳定电流能力和强大的热保险度的应用中进行通孔安装而设计,为高压电路提供实用的解决方案。

特性和优点：

• 650V 额定值可用于高压开关系统
• 29 A 连续漏电流支持大负载电流
• 88mΩ 导通电阻可减少传导损耗
• 53nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 208W 功耗容量可改善热处理
• 最高工作温度为150°C,可耐受高压接点

应用

• 适用于高电压电源和转换器
• 适用于工业电机驱动开关级
• 用于需要高 Vds 余地的音频功率放大器
• 可用于机械中的逆变器前端开关
• 与自动化系统中的离散级栅极驱动器配合使用

为实现可靠运行,应遵守哪些栅极驱动限值?

该设备可耐受高达 30V 的栅极-源电压

保持在此限值范围内,以避免降低门绝缘并确保预期的开关行为。

在通孔布局中应如何进行热管理?

使用连接到TO-220AB封装插片的适当额定电子散热器,并确保足够的气流,以保持预期耗散时的接点温度低于最高150°C。

典型的栅极电荷值带来了哪些切换优势?

53nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动器需求

驱动器必须提供足够的峰值电流,以实现所需的上升和下降时间,而不会出现过多的开关损耗。

此组件是否可安装在需要分立组件的传统组件上?

是,其通孔格式和三针配置与传统的板设计和手动组装过程兼容。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 29 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP105N60EF-GE3, EF系列

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