制造商编号

Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=29 A, 3针, JEDEC TO-220AB, EF系列

RS 库存编号:: 200-6794
制造商零件编号:: SiHP105N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=29 A, 3针, JEDEC TO-220AB, EF系列

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RS 库存编号:: 200-6794
制造商零件编号:: SiHP105N60EF-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	29A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EF
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	88mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	53nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	208W
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.65mm
	标准/认证	RoHS
	长度	10.52mm
	高度	14.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 29A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EF
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 88mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 208W
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.65mm
	标准/认证 RoHS
	长度 10.52mm
	高度 14.4mm
	汽车标准否

Document- SiHP105N60EF-GE3

Vishay SiHP105N60EF GE3 是一款 ef 系列功率 mosfet 、具有快速体二极管。

4th e 系列技术

低功耗

低有效电容

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级（ uis ）

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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