Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 18.3 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, Si4425FDY-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 200-6796
- 制造商零件编号:
- Si4425FDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 200-6796
- 制造商零件编号:
- Si4425FDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 4.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 16mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 4.8W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Si4425FDY od-s4d-s3 T1 是 p 沟道 30V （ d-s ） mosfet 。 GE3
TrenchFET® Gen III P 通道功率 MOSFET
通过 100% Rg 测试