制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=18.3 A, 8针, SO-8, TrenchFET Gen IV系列

RS 库存编号:: 200-6796
制造商零件编号:: Si4425FDY-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=18.3 A, 8针, SO-8, TrenchFET Gen IV系列

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RS 库存编号:: 200-6796
制造商零件编号:: Si4425FDY-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	18.3A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	SO-8
	系列	TrenchFET Gen IV
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	16mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	4.8W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	41nC
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 18.3A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 SO-8
	系列 TrenchFET Gen IV
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 16mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 4.8W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Document- Si4425FDY-T1-GE3

Vishay Si4425FDY od-s4d-s3 T1 是 p 沟道 30V （ d-s ） mosfet 。 GE3

TrenchFET® Gen III P 通道功率 MOSFET

通过 100% Rg 测试

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