Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=18 A, 3针, JEDEC TO-220AB, EF系列
- RS 库存编号:
- 200-6818
- 制造商零件编号:
- SIHP186N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SIHP186N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | EF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 193mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.52mm | |
| 高度 | 14.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 EF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 193mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.65mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.52mm | ||
高度 14.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF 系列功率 MOSFET，650V 漏源电压，18A 连续漏极电流 - SIHP186N60EF-GE3
这款功率 MOSFET 是高压增强型 N 沟道晶体管，专为通孔组装中的开关与功率转换任务设计。 它能在很宽温度范围内运行，并符合 RoHS 环境限制要求，这使其非常适合需要 650V 开关器件坚固耐用的严苛热环境和监管背景。
特性和优点：
• 650V 的漏源额定值可实现高压开关
• 18 A 的连续电流支持处理很大的负载
• 193mΩ 的导通电阻降低了运行过程中的导通损耗
• 156W 的功耗允许持续功率处理
• 32nC 的栅极电荷有助于高效开关控制
• 30V 的栅极耐压可与常见驱动器兼容
• 18 A 的连续电流支持处理很大的负载
• 193mΩ 的导通电阻降低了运行过程中的导通损耗
• 156W 的功耗允许持续功率处理
• 32nC 的栅极电荷有助于高效开关控制
• 30V 的栅极耐压可与常见驱动器兼容
应用
• 非常适合电源的高压 DCDC 转换器
• 适用于工业电机驱动开关级应用
• 用于需要 650V 器件的逆变器前端电路
• 可用于处理中等电流的固态继电器
• 适用于功率因数校正和易受 EMI 影响的系统
• 适用于工业电机驱动开关级应用
• 用于需要 650V 器件的逆变器前端电路
• 可用于处理中等电流的固态继电器
• 适用于功率因数校正和易受 EMI 影响的系统
它需要哪种封装和安装方式？
它采用 TO-220AB 封装，配置为通孔安装，可实现简单的散热和面板固定。
它在极端温度下表现如何？
器件指定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其可在热变化较大的环境中使用，而无需对规定电压等级进行降额。
有哪些必需的栅极驱动考虑因素？
最大栅源额定电压为 30V，典型总栅极电荷为 32nC，因此栅极驱动器应提供足够的峰值电流以实现目标开关速度，同时又不应超过 30V。
它是否适用于汽车电子？
其未归入汽车标准
需要车规级认证时，选择应考虑特定于行业的资格。
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