Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 18 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP186N60EF-GE3, EF系列

RS 库存编号:: 200-6818
制造商零件编号:: SIHP186N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 18 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP186N60EF-GE3, EF系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EF
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	193mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	32nC
	最大功耗 Pd	156W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.65mm
	标准/认证	RoHS
	高度	14.4mm
	长度	10.52mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EF
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 193mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC
	最大功耗 Pd 156W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.65mm
	标准/认证 RoHS
	高度 14.4mm
	长度 10.52mm
	汽车标准否

Document- SIHP186N60EF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,18 A 漏电流 - SIHP186N60EF-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高压开关设备,专为工业系统中要求严苛的电力电子功能而设计。它可用作 N 通道增强模式晶体管,用于控制高电压直流负载和开关级别,适用于需要稳健传导和热处理的设备中的通孔安装。

特性和优点：

• 650 V 最大漏电压可实现高电压切换
• 18 A 连续漏电流支持大负载电流
• 193mΩ RDS(on)可减少运行过程中的传导损耗
• 32nC 典型栅极电荷可实现可预测的开关性能
• 156W 最大功耗有助于热设计选择
• 30V 栅极容差允许灵活的驱动电压范围

应用

• 适用于工业驱动器中的高压逆变器前端
• 适用于处理高直流总线电压的开关模式电源
• 用于自动化和电机控制装置的分立功率级别
• 可用于配电模块的负载开关

它能承受的工作温度范围是多少?

它的工作温度范围为-55°C至150°C,可用于各种热环境和高温应用。

该设备旨在如何安装在设备中?

它采用通孔 TO-220AB 封装,带三个引脚,适用于牢固的板安装和简单的散热选项。

开关设计的预期栅极驱动特性是什么?

在额定条件下,典型栅极电荷为 32 nC,设计人员可以估计栅极驱动能量并为目标开关速度选择合适的驱动器。

应注意哪些机械尺寸?

该封装具有紧凑的外部尺寸和中等外形,便于在垂直间隙和板固定等因素中进行集成。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 18 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP186N60EF-GE3, EF系列

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