Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 6.4 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 200-6821
- 制造商零件编号:
- SIHP690N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 200-6821
- 制造商零件编号:
- SIHP690N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 700mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.4A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 E | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 700mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 最大漏源电压,6.4 A 最大连续漏电流 - SIHP690N60E-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业电子产品中的开关和电源管理任务而设计。它采用通孔 TO-220AB 封装,适用于散热器,适用于需要强大的电压耐受性和简单安装的控制、转换和保护电路工程师。
特性和优点：
• 650V Vds,具有高电压开关能力 • 6.4A 连续漏电流,可适度处理负载 • 700 mΩ Rds(on),可预测传导损耗 • 12nC 典型栅极电荷,可管理开关能量 • 62.5W 功耗,支持热设计 • 150°C 最高接点温度,适用于高温运行
应用
• 适用于高电压开关模式电源 • 适用于电机驱动门级电路 • 用于工业逆变器保护开关 • 可用于功率因数校正级别 • 适用于高压继电器和接触器驱动电路
驱动此设备的推荐栅极电压范围是多少?
该设备可接受高达 30 V 的栅极电压,因此应选择栅极驱动器保持在该限制范围内并为指定的栅极电荷提供足够的驱动。
安装时应如何处理热管理?
TO-220AB 插片上使用兼容的散热器,确保充足的气流
在计算温升时,考虑62.5W的额定耗散。
可接受哪些环境条件进行操作?
该组件的额定工作温度低至 -55°C,最大接点额定值为 150°C,因此设计必须管理接点与环境的热阻,以保持在这些范围内。
是否考虑高电压下的开关损耗?
具有 12 nC 栅极电荷和 700 mΩ Rds(on),设计人员应平衡栅极驱动速度与开关损耗,尤其是在频繁在高 Vds 下开关的应用中。