Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 36 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 5引脚, SIHH070N60EF-T1GE3, EF系列

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200-6830
制造商零件编号:
SIHH070N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

EF

包装类型

PowerPAK 8 x 8

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

71mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

75nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

202W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

8.1mm

高度

8.1mm

宽度

1.05 mm

汽车标准

Vishay SIHH070N60EF T1GE3 是一款 ef 系列功率 mosfet 、具有快速体二极管。

4th e 系列技术

低功耗

低有效电容

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级( uis )