Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 11 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SIJ150DP-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 200-6841
- 制造商零件编号:
- SIJ150DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 200-6841
- 制造商零件编号:
- SIJ150DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 45V | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 70nC | |
| 最大功耗 Pd | 65.7W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 0.98 mm | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 45V | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70nC | ||
最大功耗 Pd 65.7W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 0.98 mm | ||
高度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIJ150DP od-s1-d3 T1 mosfet 是 GE3 （ 45V ） mosfet 。
trench场 效应第四代功率 mosfet
极低 qg 和 qoss 可减少功率损耗并提高效率
柔性引线可提供抗机械应力的能力
经过 100% rg 和 uis 测试
qgd/qgs 比< 1 优化了切换特性