Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=45 V, Id=11 A, 4针, SO-8, TrenchFET Gen IV系列

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RS 库存编号:
200-6843
制造商零件编号:
SIJ150DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

45V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET Gen IV

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

4.1mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

65.7W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

3.4mm

高度

3.4mm

宽度

0.98mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay SIJ150DP od-s1-d3 T1 mosfet 是 GE3 （ 45V ） mosfet 。

trench场 效应第四代功率 mosfet

极低 qg 和 qoss 可减少功率损耗并提高效率

柔性引线可提供抗机械应力的能力

经过 100% rg 和 uis 测试

qgd/qgs 比< 1 优化了切换特性

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