Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=45 V, 11 A, PowerPAK SO-8L, 贴片安装, 4引脚, TrenchFET® Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 200-6843
- 制造商零件编号:
- SIJ150DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 200-6843
- 制造商零件编号:
- SIJ150DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 45 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0041 Ω 、 0.00283 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 45 V | ||
封装类型 PowerPAK SO-8L | ||
系列 TrenchFET® Gen IV | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 0.0041 Ω 、 0.00283 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay SIJ150DP od-s1-d3 T1 mosfet 是 GE3 （ 45V ） mosfet 。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
极低 qg 和 qoss 可减少功率损耗并提高效率
柔性引线可提供抗机械应力的能力
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
Qgd/Qgs 比 1 优化了切换特性
极低 qg 和 qoss 可减少功率损耗并提高效率
柔性引线可提供抗机械应力的能力
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
Qgd/Qgs 比 1 优化了切换特性