Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 127.5 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET Gen III系列
- RS 库存编号:
- 200-6849
- 制造商零件编号:
- SiSS63DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
¥263.00
(不含税)
¥297.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年8月10日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | RMB5.26 | RMB263.00 |
| 750 - 1450 | RMB5.102 | RMB255.10 |
| 1500 + | RMB4.949 | RMB247.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 200-6849
- 制造商零件编号:
- SiSS63DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 127.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET Gen III | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 最大功耗 Pd | 65.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 236nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 3.3mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 127.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET Gen III | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
最大功耗 Pd 65.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 236nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 3.3mm | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SiSS63DN od-s4d-s3 T1 是 p 沟道 20V （ d-s ） mosfet 。 GE3
TrenchFET® Gen III P 通道功率 MOSFET
领先的 rds （接通）、采用紧凑型和热增强型封装
经过 100 % Rg 和 UIS 测试