Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=48 A, 8针, powerpir 3 x 3S, TrenchFET Gen IV系列

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RS 库存编号:
200-6853
制造商零件编号:
SiZ240DT-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

48A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

powerpir 3 x 3S

系列

TrenchFET Gen IV

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00805Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15.2nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

33W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

双

高度

0.8mm

宽度

3.4mm

长度

3.4mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

Vishay SiZ240DT T1 40V 是双 n 沟道 GE3 （ d-s ）高电阻器。

TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

集成 mosfet 半桥功率级

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

优化的 qgs/qgs 比提高了切换特性

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