Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 48 A, powerpir 3 x 3S, 表面安装, 8引脚, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 200-6853
- 制造商零件编号:
- SiZ240DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 200-6853
- 制造商零件编号:
- SiZ240DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 48A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | powerpir 3 x 3S | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00805Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15.2nC | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 48A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 powerpir 3 x 3S | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00805Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15.2nC | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
高度 0.8mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SiZ240DT T1 40V 是双 n 沟道 GE3 （ d-s ）高电阻器。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
集成 mosfet 半桥功率级
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
优化的 qgs/qgs 比提高了切换特性