Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=850 V, 5 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIHD6N80AE-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 200-6866
- 制造商零件编号:
- SIHD6N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 200-6866
- 制造商零件编号:
- SIHD6N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 850V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 850V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22.5nC | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
SIHD6N80AE - GE3 是 e 系列功率 mosfet Vishay od-v4 系列。
低功耗
低有效电容（吻）
减少切换和传导损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量等级（ uis ）
集成齐纳二极管 esd 保护