Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=38 A, 8针, powerpir 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV系列

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RS 库存编号:
200-6873
制造商零件编号:
SiZ250DT-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

38A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

powerpir 3 x 3FDC

系列

TrenchFET Gen IV

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.01887Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.5nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

33W

晶体管配置

双

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

3.3mm

长度

3.3mm

高度

0.75mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

Vishay SiZ250DT T1 60V 是双 n 沟道 GE3 （ d-s ）高电阻器。

TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

优化的 qgs/qgs 比可提高切换性能

特点

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