Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 38 A, powerpir 3 x 3FDC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 200-6874
- 制造商零件编号:
- SiZ250DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥189.10
(不含税)
¥213.675
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月02日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB7.564 | RMB189.10 |
| 750 - 1475 | RMB7.338 | RMB183.45 |
| 1500 + | RMB7.118 | RMB177.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 200-6874
- 制造商零件编号:
- SiZ250DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 包装类型 | powerpir 3 x 3FDC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.01887Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
包装类型 powerpir 3 x 3FDC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.01887Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.5nC | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SiZ250DT T1 60V 是双 n 沟道 GE3 （ d-s ）高电阻器。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
优化的 qgs/qgs 比可提高切换性能
特点