STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, HiP247, 通孔安装, 3引脚, SCTW35系列
- RS 库存编号:
- 201-0860
- 制造商零件编号:
- SCTW35N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB128.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 201-0860
- 制造商零件编号:
- SCTW35N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 45 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | HiP247 | |
| 系列 | SCTW35 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.045 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 45 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 HiP247 | ||
系列 SCTW35 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.045 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
STMicroelectronics 650V 功率 mosfet 具有 45A 额定电流和漏极到源电阻 45m 欧姆。它在每个装置区域具有低接通电阻和非常好的切换性能。开关损耗的变化几乎独立于接点温度。
非常快速且坚固的固有主体二极管
低电容
低电容