STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 119 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCTW90系列
- RS 库存编号:
- 201-0886
- 制造商零件编号:
- SCTW90N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 201-0886
- 制造商零件编号:
- SCTW90N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 119A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 系列 | SCTW90 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 2.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 157nC | |
| 最大功耗 Pd | 565W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 18 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 119A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
系列 SCTW90 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 2.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 157nC | ||
最大功耗 Pd 565W | ||
最大栅源电压 Vgs 18 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
长度 15.75mm | ||
高度 20.15mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.15 mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 650V 功率 mosfet 具有 119A 额定电流和漏极到源电阻 18m 欧姆。它在每个装置区域具有低接通电阻和非常好的切换性能。开关损耗的变化几乎独立于接点温度。
极高的工作接点温度能力（ tj = 175 °c ）
非常快速且坚固的固有主体二极管
极低的栅极电荷和输入电容