STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=119 A, 3针, Hip-247, SCTW90系列

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RS 库存编号:
201-0886
制造商零件编号:
SCTW90N65G2V
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

119A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

Hip-247

系列

SCTW90

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

24mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

157nC

最大栅源电压 Vgs

18V

最大功耗 Pd

565W

正向电压 Vf

2.5V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

200°C

宽度

5.15mm

标准/认证

No

高度

20.15mm

长度

15.75mm

汽车标准

否

STMicroelectronics 650V 功率 mosfet 具有 119A 额定电流和漏极到源电阻 18m 欧姆。它在每个装置区域具有低接通电阻和非常好的切换性能。开关损耗的变化几乎独立于接点温度。

极高的工作接点温度能力（ tj = 175 °c ）

非常快速且坚固的固有主体二极管

极低的栅极电荷和输入电容

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