onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 262 A, LFPAK, 表面安装, 8引脚, NTMJS1D4N06CLTWG, NTMJS1D4N06CL系列
- RS 库存编号:
- 201-3407
- 制造商零件编号:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB9.03 | RMB27,090.00 |
| 6000 - 9000 | RMB8.759 | RMB26,277.00 |
| 12000 + | RMB8.584 | RMB25,752.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 201-3407
- 制造商零件编号:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 262A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | NTMJS1D4N06CL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 103nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 180W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5mm | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 262A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 NTMJS1D4N06CL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 103nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 180W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5mm | ||
宽度 1.3 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 4.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 60V n 沟道 mosfet 的工业功率为 5x6mm 、用于紧凑型高效设计、包括高热性能、此外、这些器件无铅且符合 rohs 标准。
低传导损耗
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗