STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=20 A, 3针, H2PAK-2, SiC MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 201-4416P
- 制造商零件编号:
- SCT20N120H
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- SCT20N120H
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1.2kV | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 系列 | SiC MOSFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 203mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 1.2kV | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
系列 SiC MOSFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 203mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.7mm | ||
长度 15.8mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 10.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。sic 材料具有出色的热特性。
导通电阻与之间的差异非常小温度
极高的工作接点温度能力
非常快速且坚固的固有主体二极管
低电容