STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 31 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, STL47N60M6, Mdmesh M6系列

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包装方式:
RS 库存编号:
201-4499
制造商零件编号:
STL47N60M6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

31A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

Mdmesh M6

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

82mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

190W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

52.2nC

最大栅源电压 Vgs

25 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

0.95 mm

长度

8.1mm

高度

8.1mm

汽车标准

STMicroelectronics 600 v 、 70 mo 典型值、 31 a mdmesh M6 功率 mosfet 、采用 powerflat 8x8 hv 封装、由于具有额外的驱动源引脚、因此具有极佳的切换性能。

低栅极输入电阻

通过 100% 雪崩测试

提供齐纳保护