STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=480 V, Id=10 A, 3针, TO-252, STD系列
- RS 库存编号:
- 202-4809P
- 制造商零件编号:
- STD13N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 202-4809P
- 制造商零件编号:
- STD13N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 480V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | STD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 380mΩ | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大功耗 Pd | 92W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 10.1mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 480V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 STD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 380mΩ | ||
通道模式 耗尽 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最大功耗 Pd 92W | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 10.1mm | ||
长度 6.6mm | ||
宽度 2.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics mmesh M6 功率 mosfet 、采用 dak 封装、可减少开关损耗。与上一代相比、它还具有更低的每区域 rds （接通）。
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护