STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=1200 V, 12 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT系列

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RS 库存编号:
202-5475
制造商零件编号:
SCT10N120
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT

包装类型

Hip-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.58Ω

通道模式

消耗

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

25 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4.3V

最高工作温度

200°C

长度

15.75mm

标准/认证

No

宽度

5.15 mm

高度

34.95mm

汽车标准

AEC-Q101

STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。这使得每个装置区域具有卓越的接通电阻和非常好的切换性能、几乎不受温度影响。

非常快速且坚固的固有主体二极管

低电容

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