STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=65 A, 3针, Hip-247, SCT系列
- RS 库存编号:
- 202-5479P
- 制造商零件编号:
- SCT50N120
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- SCT50N120
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1.2kV | |
| 系列 | SCT | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.59Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最大功耗 Pd | 318W | |
| 正向电压 Vf | 3.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 122nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 34.95mm | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 1.2kV | ||
系列 SCT | ||
包装类型 Hip-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.59Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最大功耗 Pd 318W | ||
正向电压 Vf 3.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 122nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
最高工作温度 200°C | ||
长度 15.75mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 34.95mm | ||
宽度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。这使得每个装置区域具有卓越的接通电阻和非常好的切换性能、几乎不受温度影响。
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