STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=650 V, Id=95 A, 7针, H2PAK, SCT系列
- RS 库存编号:
- 202-5481P
- 制造商零件编号:
- SCTH100N65G2-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 202-5481P
- 制造商零件编号:
- SCTH100N65G2-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 95A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 系列 | SCT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.02Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 162nC | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大功耗 Pd | 360W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 正向电压 Vf | 2.8V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 15.25mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 95A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 H2PAK | ||
系列 SCT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.02Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 162nC | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大功耗 Pd 360W | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
正向电压 Vf 2.8V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 15.25mm | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 硬质合金功率 mosfet 使用 st 的 Advanced 和创新的 2nd generation sic mosfet 技术开发而成。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。
非常快速且坚固的固有主体二极管
低电容