STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=1200 V, Id=33 A, 3针, Hip-247, SCT系列

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RS 库存编号:
202-5489
制造商零件编号:
SCTW40N120G2VAG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT

包装类型

Hip-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.105Ω

通道模式

耗尽

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

最大栅源电压 Vgs

22V

正向电压 Vf

3.4V

最大功耗 Pd

290W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

200°C

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

标准/认证

No

高度

34.95mm

汽车标准

否

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