STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET模块, Vds=600 V, 25 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, ST系列
- RS 库存编号:
- 202-5495
- 制造商零件编号:
- STB33N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 202-5495
- 制造商零件编号:
- STB33N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 系列 | ST | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.115 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.75V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
系列 ST | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.115 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.75V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
STMicroelectronics 强 n 沟道功率 mosfet 是 mdmesh ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ qrr ）、恢复时间（ trr ）和每个区域 rds （接通）的极佳改进与市场上最有效的切换行为之一相结合。
dv/dt 稳定极高
提供齐纳保护
提供齐纳保护