STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 25 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, ST系列
- RS 库存编号:
- 202-5495
- 制造商零件编号:
- STB33N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 202-5495
- 制造商零件编号:
- STB33N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | ST | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.115Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 190W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.85mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 ST | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.115Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 190W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.6 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.85mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 强 n 沟道功率 mosfet 是 mdmesh ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ qrr ）、恢复时间（ trr ）和每个区域 rds （接通）的极佳改进与市场上最有效的切换行为之一相结合。
dv/dt 稳定极高
提供齐纳保护