STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, ST系列
- RS 库存编号:
- 202-5511
- 制造商零件编号:
- STF36N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥1,967.75
(不含税)
¥2,223.55
(含税)
有库存
- 另外 150 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB39.355 | RMB1,967.75 |
| 250 + | RMB38.567 | RMB1,928.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5511
- 制造商零件编号:
- STF36N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | ST | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.085Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 30.6mm | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 ST | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.085Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 30.6mm | ||
宽度 4.6 mm | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics mdmesh ™ M6 技术融合了最新的技术改进，以支持 sj 系列著名的整合 mdmesh 。STMicroelectronics 的新 M6 技术构建于上一代 mdmesh 设备之上。
低栅极输入电阻
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护