STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=650 V, 68 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STW70N65DM6-4, ST系列
- RS 库存编号:
- 202-5549
- 制造商零件编号:
- STW70N65DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STW70N65DM6-4
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | ST | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.036Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 125nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 450W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 41.2mm | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 ST | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.036Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 125nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 450W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.9mm | ||
高度 41.2mm | ||
宽度 5.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 是 mdmesh ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ qrr ）、恢复时间（ trr ）和每个区域 rds （接通）的极佳改进与市场上最有效的切换行为之一相结合。
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护