onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 60 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NTBG040N120SC1, NTB系列
- RS 库存编号:
- 202-5690
- 制造商零件编号:
- NTBG040N120SC1
- 制造商:
- onsemi
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB663.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB132.62 | RMB663.10 |
| 200 - 395 | RMB128.642 | RMB643.21 |
| 400 + | RMB124.78 | RMB623.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5690
- 制造商零件编号:
- NTBG040N120SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | NTB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 357W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 正向电压 Vf | 3.7V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 15.7mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 NTB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 357W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
正向电压 Vf 3.7V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 15.7mm | ||
长度 10.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK−7L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK?7L
on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 60 安培和 1200 伏的电流运行。它可用于不间断电源、直流或直流转换器、升压变频器。
40mO 漏极到电源接通电阻
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
无铅
符合 RoHS