onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 185 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NTBGS4D1N15MC, NTB系列
- RS 库存编号:
- 202-5693
- 制造商零件编号:
- NTBGS4D1N15MC
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB32.642 | RMB163.21 |
| 200 - 395 | RMB31.662 | RMB158.31 |
| 400 + | RMB30.714 | RMB153.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5693
- 制造商零件编号:
- NTBGS4D1N15MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 185A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | NTB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 88.9nC | |
| 最大功耗 Pd | 316W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | Pb-Free, RoHS | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 宽度 | 9.9 mm | |
| 长度 | 9.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 185A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 NTB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 88.9nC | ||
最大功耗 Pd 316W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 Pb-Free, RoHS | ||
高度 0.6mm | ||
宽度 9.9 mm | ||
长度 9.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor n 通道 mosfet 的运行电流为 185 安培和 150 伏。它可用于电动工具、电池供电真空、 uav/drones 、材料处理、 bms / 存储、家庭自动化。
低漏极到电源接通电阻
降低切换噪声
无铅
无卤素
符合 RoHS