onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, NTH系列
- RS 库存编号:
- 202-5699P
- 制造商零件编号:
- NTH4L040N120SC1
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5699P
- 制造商零件编号:
- NTH4L040N120SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | NTH | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 56mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 最大功耗 Pd | 319W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 正向电压 Vf | 3.7V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 高度 | 22.74mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 5.2 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 NTH | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 56mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
最大功耗 Pd 319W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
正向电压 Vf 3.7V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.8mm | ||
高度 22.74mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 5.2 mm | ||
汽车标准 否 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，TO-247-4L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，TO-247-4L
on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 29 安培和 1200 伏的电流运行。它可用于不间断电源、升压逆变器、工业电动机驱动器、 pv 充电器。
40mO 漏极到电源接通电阻
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
无铅
符合 RoHS