onsemi N沟道增强型MOSFET管, Vds=1200 V, 29 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
202-5707P
制造商零件编号:
NTHL160N120SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

29 A

最大漏源电压

1200 V

系列

NTH

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

0.11 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.3V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

SiC

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，160 mohm，1,200 V，M1，TO-247-3L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，160 mohm，1,200 V，M1，TO-247-3L


on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 17 安培和 1200 伏的电流运行。它可用于不间断电源、直流 / 直流转换器、升压变频器。

160mO 漏极到电源接通电阻
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
无铅
符合 RoHS

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。