onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 365 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 202-5710P
- 制造商零件编号:
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 202-5710P
- 制造商零件编号:
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 365A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NTMFS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.68mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 139W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.3mm | |
| 高度 | 6.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 365A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NTMFS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.68mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 139W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.3mm | ||
高度 6.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor power 单 n 沟道功率 mosfet 以 365 安培和 25 伏的电流运行。它可用于电源负载开关、笔记本电脑电池管理、直流 / 直流转换器。
低漏极到电源接通电阻
体积小
低电容
无铅
符合 RoHS