onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 220 mA, xDFN3, 表面安装, 3引脚, NTNS0K8N021ZTCG, NTN系列
- RS 库存编号:
- 202-5714
- 制造商零件编号:
- NTNS0K8N021ZTCG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 100 件）*
¥291.40
(不含税)
¥329.30
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 7,700 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 1900 | RMB2.914 | RMB291.40 |
| 2000 - 3900 | RMB2.827 | RMB282.70 |
| 4000 + | RMB2.77 | RMB277.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5714
- 制造商零件编号:
- NTNS0K8N021ZTCG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 220mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | xDFN3 | |
| 系列 | NTN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±8 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.72mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 0.21mm | |
| 宽度 | 0.43 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 220mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 xDFN3 | ||
系列 NTN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125mW | ||
最大栅源电压 Vgs ±8 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.72mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 0.21mm | ||
宽度 0.43 mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor power 单 n 沟道功率 mosfet 运行电流为 220 毫安和 80 伏。它可用于小信号负载开关、高速接口连接、电平移位应用。
无铅
符合 RoHS
无卤素
薄型超小型封装