onsemi P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=20 V, 127 mA, XDFN, 表面安装, 3引脚, NTN系列

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202-5716P
制造商零件编号:
NTNS2K1P021ZTCG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

127mA

最大漏源电压 Vd

20V

系列

NTN

包装类型

XDFN

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

消耗

正向电压 Vf

-20V

最大栅源电压 Vgs

8 V

最大功耗 Pd

125mW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

0.72mm

长度

0.21mm

宽度

0.43 mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

on ON Semiconductor power 单 n 沟道功率 mosfet 运行时的毫安为 -127 毫安,电压为 -20 伏。它可用于小信号负载开关、高速接口连接、电平移位应用。

无铅

符合 RoHS

无卤素

薄型超小型封装