制造商编号

onsemi , 1 N型沟道 N-通道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, WQFN, 表面安装, 12引脚, NTTF系列, NTTFD4D0N04HLTWG

RS 库存编号:: 202-5718
制造商零件编号:: NTTFD4D0N04HLTWG
制造商:: onsemi

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制造商:: onsemi

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	60A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	WQFN
	系列	NTTF
	安装类型	表面
	引脚数目	12
	最大漏源电阻 Rd	4.5mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	18nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	26W
	正向电压 Vf	0.78V
	晶体管配置	N-通道
	最高工作温度	150°C
	高度	0.75mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	长度	3.3mm
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 60A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 WQFN
	系列 NTTF
	安装类型表面
	引脚数目 12
	最大漏源电阻 Rd 4.5mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 26W
	正向电压 Vf 0.78V
	晶体管配置 N-通道
	最高工作温度 150°C
	高度 0.75mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	长度 3.3mm
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准否

Datasheet - NTTFD4D0N04HLTWG

on ON Semiconductor dual n 沟道 mosfet 在双封装中包含两个专用的 n 沟道 mosfet 。开关节点已内部连接、可轻松放置和路由同步降压转换器。它可用于计算、通信、通用负载点应用。

低电感封装

降低切换损耗

符合 RoHS

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