onsemi , 1 N型沟道 双N 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 38 A, WQFN, 表面安装, 12引脚, NTTF系列, NTTFD9D0N06HLTWG
- RS 库存编号:
- 202-5721
- 制造商零件编号:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥243.65
(不含税)
¥275.325
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB9.746 | RMB243.65 |
| 750 - 1475 | RMB9.454 | RMB236.35 |
| 1500 + | RMB9.17 | RMB229.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5721
- 制造商零件编号:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | NTTF | |
| 包装类型 | WQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.79V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 26W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双N | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 NTTF | ||
包装类型 WQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 9Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.79V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 26W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双N | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor dual n 沟道 mosfet 在双封装中包含两个专用的 n 沟道 mosfet 。开关节点已内部连接、可轻松放置和路由同步降压转换器。它可用于计算、通信、通用负载点应用。
低电感封装
降低切换损耗
符合 RoHS