onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=38 A, 12针, WQFN, NTTF系列

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包装方式：
RS 库存编号:
202-5721
制造商零件编号:
NTTFD9D0N06HLTWG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

38A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

WQFN

系列

NTTF

安装类型

表面

引脚数目

12

最大漏源电阻 Rd

9Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

26W

正向电压 Vf

0.79V

最大栅源电压 Vgs

20V

晶体管配置

双N

最高工作温度

150°C

宽度

3.3mm

标准/认证

RoHS

长度

3.3mm

高度

0.75mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

on ON Semiconductor dual n 沟道 mosfet 在双封装中包含两个专用的 n 沟道 mosfet 。开关节点已内部连接、可轻松放置和路由同步降压转换器。它可用于计算、通信、通用负载点应用。

低电感封装

降低切换损耗

符合 RoHS

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