onsemi P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=30 V, 96 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, NTTF系列
- RS 库存编号:
- 202-5723P
- 制造商零件编号:
- NTTFS008P03P8Z
- 制造商:
- onsemi
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- 202-5723P
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- NTTFS008P03P8Z
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 96A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | NTTF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.8mΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 134nC | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 0.8 mm | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 96A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 NTTF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.8mΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 134nC | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 0.8 mm | ||
高度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 单 p 沟道 mosfet 在 -30 伏和 -96 安培的电压下运行。它可用于电源负载开关、反向电流保护、过电压和反向负电压、电池管理应用。
节省空间
极佳的热传导
无铅
无卤素
符合 RoHS