onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 150 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, NTTF系列
- RS 库存编号:
- 202-5724
- 制造商零件编号:
- NTTFS2D1N04HLTWG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥13,719.00
(不含税)
¥15,501.00
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB4.573 | RMB13,719.00 |
| 15000 + | RMB4.482 | RMB13,446.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5724
- 制造商零件编号:
- NTTFS2D1N04HLTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | NTTF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 340mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 0.8 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 NTTF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 340mm | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 0.8 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 单 n 沟道 mosfet 运行电压为 40 伏和 150 安培。它可用于直流 - 直流降压转换器、负载点、高效负载开关和低侧切换、 Oring 场。
无铅
无卤素
符合 RoHS
-55 至 +150°c 的工作接点和存储温度范围