onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=84 A, 8针, PQFN, NTTF系列
- RS 库存编号:
- 202-5729P
- 制造商零件编号:
- NTTFS5D9N08HTWG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 202-5729P
- 制造商零件编号:
- NTTFS5D9N08HTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 84A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NTTF | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 800μm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 84A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NTTF | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 800μm | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 单 n 沟道 mosfet 的工作电压为 80 伏和 84 安培。它可用于直流 - 直流降压转换器、负载点、高效负载开关和低侧切换、 Oring 场。
无铅
无卤素
符合 RoHS
-55 至 +150°c 的工作接点和存储温度范围