onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 60 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NVB系列
- RS 库存编号:
- 202-5730
- 制造商零件编号:
- NVBG040N120SC1
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 800 件）*
¥114,903.20
(不含税)
¥129,840.80
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月17日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB143.629 | RMB114,903.20 |
| 1600 - 2400 | RMB140.756 | RMB112,604.80 |
| 3200 + | RMB137.941 | RMB110,352.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5730
- 制造商零件编号:
- NVBG040N120SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | NVB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 56mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 最大功耗 Pd | 178W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 15.7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 NVB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 56mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
最大功耗 Pd 178W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.7 mm | ||
长度 10.2mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
高度 15.7mm | ||
汽车标准 否 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET，N 通道 - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK−7L 碳化硅 MOSFET，N?通道，1,200 V，40 m?，D2PAK?7L
on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 60 安培和 1200 伏的电流运行。它可用于汽车车载充电器、直流或直流转换器应用。
符合 aec Q101 标准
生产件审批流程
通过 100% 雪崩测试
低有效输出电容