制造商编号

onsemi N沟道增强型MOSFET管, Vds=1200 V, 60 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 7引脚, NVB系列

RS 库存编号:: 202-5731P
制造商零件编号:: NVBG040N120SC1
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOSFET管, Vds=1200 V, 60 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 7引脚, NVB系列

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RS 库存编号:: 202-5731P
制造商零件编号:: NVBG040N120SC1
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	60 A
	最大漏源电压	1200 V
	系列	NVB
	封装类型	D2PAK （TO-263）
	安装类型	贴片
	引脚数目	7
	最大漏源电阻值	0.056 Ω
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4.3V
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	SiC

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 60 A
	最大漏源电压 1200 V
	系列 NVB
	封装类型 D2PAK （TO-263）
	安装类型贴片
	引脚数目 7
	最大漏源电阻值 0.056 Ω
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4.3V
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 SiC

Datasheet - NVBG040N120SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET，N 通道 - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK−7L 碳化硅 MOSFET，N?通道，1,200 V，40 m?，D2PAK?7L

on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 60 安培和 1200 伏的电流运行。它可用于汽车车载充电器、直流或直流转换器应用。

符合 aec Q101 标准
生产件审批流程
通过 100% 雪崩测试
低有效输出电容

onsemi N沟道增强型MOSFET管, Vds=1200 V, 60 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 7引脚, NVB系列

碳化硅 (SiC) MOSFET，N 通道 - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK−7L 碳化硅 MOSFET，N?通道，1,200 V，40 m?，D2PAK?7L

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。