onsemi N沟道增强型MOSFET管, Vds=1200 V, 102 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, NVH系列

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RS 库存编号:
202-5734
制造商零件编号:
NVH4L020N120SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

102 A

最大漏源电压

1200 V

系列

NVH

封装类型

TO-247-4

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻值

0.028 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.3V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

SiC

碳化硅 (SiC) MOSFET，N 通道 - EliteSiC，20 mohm，1,200 V，M1，TO247−4L 碳化硅 MOSFET，N?通道，1,200 V，20 m?，TO247?4L


on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 102 安培和 1200 伏的电流运行。它可用于汽车车载充电器、直流或直流转换器应用。

符合 aec Q101 标准
生产件审批流程
通过 100% 雪崩测试
低有效输出电容

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。