onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, NVH4L040N120SC1, NVH系列

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包装方式:
RS 库存编号:
202-5738
制造商零件编号:
NVH4L040N120SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

NVH

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

56mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

25 V

最低工作温度

-50°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

106nC

最大功耗 Pd

319W

最高工作温度

170°C

高度

22.74mm

长度

15.8mm

宽度

5.2 mm

标准/认证

No

汽车标准

碳化硅 (SiC) MOSFET,N 通道 - EliteSiC,40 mohm,1,200 V,M1,TO247−4L 碳化硅 MOSFET,N?通道,1,200 V,40 m?,TO247?4L


on ON Semiconductor 功率 mosfet 的运行电流为 58 安培和 1200 伏。它可用于汽车车载充电器、直流或直流转换器应用。

符合 aec Q101 标准

生产件审批流程

通过 100% 雪崩测试

低有效输出电容